SK 启方半导体推出第四代 200V 高压 0.18 微米 BCD 工艺:性能指标提升逾 20%,计划年内实现量产 2026-01-28 15:43:05 科技热搜 作者:IT之家 热度:281 标签: SK 启方 半导体 推出 第四代 200V 高压 018 微米 BCD 工艺 性能指标 提升 逾 20 计划 年内 实现 量产 上一篇:罗技:绝大多数产品不受内存危机影响,中国游戏键鼠市场占有上季度回升 下一篇:追觅 CEO 俞浩否认学雷军、刘强东做个人 IP:要从垂直赛道的专业品牌,到国民品牌 相关推荐 SK 启方半导体推出第四代 200V 高压 0.18 微米 BCD 工艺:性能指标提升逾 20%,计划年内实现量产 SK 启方半导体进军碳化硅晶圆代工,目标 2025 年内推出 1200V SiC 工艺技术 SK 启方半导体成功开发 450~2300V 碳化硅 (SiC) 平面 MOSFET 工艺平台 目标 2027 年实现量产,三星将半导体玻璃基板项目移交业务部门 英国未成年社媒禁令加速推进,计划年内实施并限制使用 AI 聊天机器人 韩国电信运营商 SK 电讯确认 2026 年内实现 5G SA 商业化 印度力争数年内实现先进半导体自主制造:从 28 纳米迈向 2 纳米 氧化镓,第四代半导体来了?