关于4HBM的热搜内容
高盛又上调HBM预测：未来三年每年翻倍，AI需求激增成主因
在高性能存储芯片紧俏的市场状况下，高盛在两个月的时间内两次调高了对HBM（高带宽存储芯片）市场的预期。最近的一份报告指出，全球HBM市场规模预计将于2023年至2026年间以接近翻番的年增长率飙升，到2026年达到300亿美元，这一数字相比三月的预测上调了超过30%。高盛分析指出，这一乐观预测的背后动力源自全球范围内人工智能领域的强劲投资，这直接促进了HBM需求的增长。同时，HBM技术的快速演进意味着单个AI芯片中HBM的搭载容量将增加，进一步刺激需求。高盛重申了其对未来几年HBM市场将持续供不应求的看法。
美光称用于英伟达新品的产品已出货 HBM3E及SOCAMM量产
英伟达将推出用于AI开发的台式电脑
“救火队”成立一年多被撤销，三星 HBM 研发并入 DRAM 回归常态化运营
IT之家援引博文介绍，在昨日举办的高管通报会上，三星电子官宣重组半导体（DS）部门，核心变动在于撤销了去年 7 月专门成立的 HBM 开发团队，将相关研发人员全数划归至 DRAM 开发部门旗下的设计团队。
打破国外长期垄断，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货 HBM 客户端
11 月 22 日消息，据“中科飞测”公众号，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备 ——GINKGOIFM-P300 出货 HBM 客户端。
目标开发 HBM 替代品：消息称富士通将加入软银、英特尔内存合作项目
12 月 29 日消息，《日经亚洲》当地时间 26 日报道称，富士通将加入软银牵头、英特尔参与的 SAIMEMORY 新型内存研发合作项目，为其贡献自身在半导体领域的专业知识。
消息称三星电子考虑削减 HBM3E 产能，扩产 1b nm 通用 DRAM 以最大化利润
IT之家注意到，三星电子的 HBM3 和 HBM3E 内存均基于 1a nm DRAM，而 HBM4 则基于 1c nm，1b nm 工艺产能完全由通用内存占据。
消息称三星明年 2 月开始大规模量产 HBM4 芯片，英伟达、谷歌成主要买家
12 月 26 日消息，据韩媒 SEdaily 今天报道，三星将在 2026 年 2 月开始大规模量产 HBM4 芯片，其竞争对手 SK 海力士也会在大致相同的时间开始量产，成为全球内存半导体行业首例。
台积电展望定制版 HBM4E 内存：N3P 制程基础裸片集成内存控制器
与类似，台积电也认为定制 HBM 将在 HBM4E 时代正式落地，其对相关产品的称呼是 C-HBM4E。