扩产近两成:消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线 2026-02-05 16:43:05 科技热搜 作者:IT之家 热度:560 标签: 扩产 近 两成 消息 称 三星电子 将 在 平泽 P4 建设 大型 HBM4 用 1c nm 内存 产线 上一篇:鸿海 1 月营收 7300 亿元新台币创同期新高,同比增长 35.5% 下一篇:我国牵头发布多项起重机领域国际标准 相关推荐 扩产近两成:消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线 消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%,HBM4 良率接近六成 消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存,原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程 消息称三星电子计划 5 月生产首批 HBM4E 内存性能样品 消息称三星电子考虑削减 HBM3E 产能,扩产 1b nm 通用 DRAM 以最大化利润 消息称三星电子 2026 年将把 HBM 内存产能提升近五成,至每月约 25 万片晶圆 消息称三星电子 2 月起向英伟达供应 HBM4 高带宽内存,5 月大规模出货 可选当前最先进工艺:消息称三星电子正开发 4~2nm 定制 HBM 基础裸片解决方案