消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存,原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程 2026-02-25 19:43:15 科技热搜 作者:IT之家 热度:807 标签: 消息 称 三星电子 将 停产 2D NAND 闪存 原有 产线 用于 1c nm DRAM 内存 制程 上一篇:ChatGPT 沦为诈骗工具?OpenAI 披露柬埔寨诈骗网络、假冒律所等非法活动 下一篇:7200 万美元关税争议升级,小米对印度税务机关提起诉讼 相关推荐 消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存,原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程 消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%,HBM4 良率接近六成 消息称三星电子 1c nm DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点 扩产近两成:消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线 存储“涨声一片”:消息称三星电子上调 2025Q4 移动端 DRAM / NAND 产品合约价 消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产 消息称三星电子、SK 海力士今年将缩减 NAND 闪存晶圆投片量 一季度涨价 1 倍后,消息称三星电子将第二季度 DRAM 价格再提高 30%