总投资 240 亿美元，美光新加坡 NAND 新晶圆厂设施动工 2026-01-27 12:43:05 科技热搜 作者：IT之家 热度：901 标签： 总 投资 240 亿美元 美 光 新加坡 NAND 新 晶圆厂 设施 动工 上一篇：120 Gbps 无线收发器问世：5G 网络的 24 倍，眨眼下完 4K 电影 下一篇：新型“Stanley”黑产 MaaS 遭曝光，可令钓鱼扩展通过谷歌 Chrome 商店审核 相关推荐 总投资 240 亿美元，美光新加坡 NAND 新晶圆厂设施动工 1000 亿美元投资，美光宣布纽约州克莱 DRAM 内存晶圆厂 1 月 16 日动工 美光启用首个在印封测设施，项目总投资 27.5 亿美元 台积电尽量加速现有晶圆厂建设，美国亚利桑那第三晶圆厂已动工 消息称台积电在日 JASM 第二晶圆厂将改为 3nm，总投资升至 170 亿美元 台积电加速在美后续晶圆厂建设、在日第二晶圆厂动工 消息称铠侠、闪迪考虑在美合作建设 NAND 晶圆厂 存储市场展望：今年巨头市值逼近1万亿美元，2027年1.5万亿美元 NAND报价暴涨近50%
