消息称三星 HBM3E 已量产供货英伟达，HBM4 产能被预订一空
11 月 1 日消息，科技媒体 sammyguru 昨日（10 月 31 日）发布博文，报道称得益于人工智能（AI）产业的蓬勃发展，三星的高带宽内存（HBM）业务正迎来强劲复苏，HBM4 芯片 2026 年的计划产能已全部售罄。
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TrendForce：HBM3E 与 DDR5 价差削减促使转产，反作用推高明年 HBM3E 定价
机构称，在 2025 年 5 月英伟达与三大 DRAM 原厂（三星、SK 海力士、美光）展开 2026 年 HBM3E 采购协商时，单价显著低于今年水平。
不止于 HBM 内存供应，三星、SK 均与 OpenAI 达成多角度 AI 战略合作伙伴关系
在三星集团方面，三星电子不仅将为 OpenAI 提供 HBM，还带来了先进芯片封装与异构集成方面的差异化能力。
美光千亿HBM预测改写半导体格局 AI驱动需求激增
尽管下游需求旺盛，美光在资本支出方面仍保持谨慎态度，将2026财年的资本支出计划从180亿美元上调至约200亿美元。公司董事长、总裁兼首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉表示，人工智能驱动的需求已经到来并且正在加速增长，美光正处于历史上最令人振奋的时期。
美光科技开始量产HBM3E内存 将用于英伟达H200 AI芯片
资料显示，美光科技HBM3E内存基于1β 工艺，采用TSV封装、2.5D/3D堆叠，可提供1.2 TB/s及更高的性能。美光科技表示，与竞争对手的产品相比，其HBM3E产品有着以下三方面的优势：(1)卓越性能：美光HBM3E拥有超过9.2Gb/s的针脚速率、超过1.2 TB/s的内存带宽，可满足人工智能加速器、超级计算机和数据中心的苛刻需求。(2)出色能效：与竞品相比，美光HBM3E功耗降低了约 30%，在提供最大吞吐量的前提下将功耗降至最低，有效改善数据中心运营支出指标。(3)无缝扩展: 美光HBM3E目前可提供24GB容量，可帮助数据中心轻松扩展其AI应用，无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务都能提供必要的内存带宽。
海力士等三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商
IT之家注：金正浩是韩国科学技术院（KAIST）电气工程学系的教授，他被广泛认为是将高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）从概念变为现实的关键人物。
消息称三星、SK 海力士 HBM3E 芯片价格飙升 50%，AI 热潮成主要推手
12 月 27 日消息，据韩媒 SEdaily 昨天报道，随着全球科技巨头在 AI 领域竞争逐渐升温，核心零部件 HBM 价格正在大幅飙升。
高盛又上调HBM预测：未来三年每年翻倍，AI需求激增成主因
在高性能存储芯片紧俏的市场状况下，高盛在两个月的时间内两次调高了对HBM（高带宽存储芯片）市场的预期。最近的一份报告指出，全球HBM市场规模预计将于2023年至2026年间以接近翻番的年增长率飙升，到2026年达到300亿美元，这一数字相比三月的预测上调了超过30%。高盛分析指出，这一乐观预测的背后动力源自全球范围内人工智能领域的强劲投资，这直接促进了HBM需求的增长。同时，HBM技术的快速演进意味着单个AI芯片中HBM的搭载容量将增加，进一步刺激需求。高盛重申了其对未来几年HBM市场将持续供不应求的看法。
消息称三星电子 2025H2 重夺谷歌 TPU AI 芯片主力 HBM 内存供应商地位
12 月 1 日消息，韩媒 hankyung 今早报道称，尽管 SK 海力士今年上半年向谷歌的 TPU AI 芯片供应了更多的 HBM 内存，但三星电子凭借着下半年的良好表现，全年对谷歌 TPU 的 HBM 供应占比将达到 60%。
