SK 海力士计划 2026H2 出样 HBM4E：基于 1c DRAM，2027 年量产
SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。
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三星内部调查 DRAM“吃回扣”丑闻，供应短缺预计将持续至 2027 年
据供应链反馈，当前存储器报价持续攀升，交货周期显著延长，供应商库存水平远低于正常阈值。成本压力已传导至终端消费市场，包括宏碁、戴尔、华硕等厂商计划上调产品价格以应对成本压力，此举可能抑制市场消费需求。
AI 需求太猛，SK 海力士 DRAM 产能计划到 2026 年暴增超 8 倍
IT之家援引博文介绍，此次扩产的核心是 SK 海力士位于韩国利川的生产基地，该工厂的 1c DRAM 晶圆月产量预计将从目前的 2 万片大幅提升至 14 万片。海力士还计划扩展其它生产基地，计划到 2026 年将其 DRAM 产能扩大 8 倍以上。
南亚科技：DRAM 内存 2026Q1 平均售价环比增幅超 70%
尽管按 bit 计出货量环比下滑 ~5%，南亚科技 2026Q1 总营收还是达到了 490.87 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 105.59 亿元人民币），环比增长 63.1%、同比增幅更是达到了 582.9%。其 2026Q1 毛利率达 67.9%，较 2026Q4 改善 18.9 个百分点；营业净利率达 61.3%，较前一季度改善 22.2 个百分点。
SK 海力士警告：DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年
12 月 14 日消息，据科技媒体 Wccftech 昨天报道，主流 PC 市场正为内存供需长期失衡做准备，SK 海力士的内部会议显示，大宗 DRAM 产能增长将变得十分有限，难以追上不断攀升的需求，或进一步加剧内存涨价的局面。
三星计划到 2026 年底将 1c DRAM 月产能扩大至 20 万片，意在重夺市场领导地位
据 ETNews 称，三星电子今年前三季度已经连续将 DRAM 市场龙头地位拱手让给 SK 海力士。三星将主因归咎于核心 DRAM 业务。公司认定 DRAM 品质直接影响 HBM 竞争力，随即启动大规模设计革新。
集邦：预估 2025Q4 非 HBM 一般型 DRAM 内存价格环比增长 8~13%
9 月 24 日消息，机构 TrendForce 集邦咨询今日表示，在三大 DRAM 内存原厂的产能分配向 HBM 和服务器 DDR5 倾斜的背景下，2025 年第四季度整体一般型 DRAM 的价格将环比增长 8~13%。
消息称三大原厂 2026 年 DRAM 内存产能约 1800 万片晶圆，增长约 5%
由于 DRAM 晶圆厂建设需要较长的时间，因此今年的内存产能增幅主要来自对现有生产线的更高效率利用以及 SK 海力士清州 M15X 的全面投运；同时不可忽略的是，向 1c / 1γ 制程的技术升级也必然会影响到产量。三大原厂的新一波 DRAM 产能将在 2027~2028 年正式落地。
集邦：金士顿以 66% 市占再度蝉联 2024 年全球第一大 DRAM 内存模组厂
在这份去年全球 Top8 DRAM 内存模组厂榜单上，威刚继续位居第二，金泰克以 5.76 亿美元收获第三，业绩同比增长 59% 的十铨排在第四，最后一位 AGI 亚奇雷的同比增幅达到了 138%。
三年翻倍：消息称 SK 海力士 2026 年底 DRAM 内存月度晶圆投片量将达 62 万
SK 海力士在 2023 的 DRAM 月晶圆投片量仅有 30 万片，换句话说该企业在三年内翻倍了按晶圆计的内存产能。这一数值也将与三星半导体明年下半年的内存生产能力大致相当。
南亚科技 2025 年营收同比大增 95.1%，未来两代 DRAM 内存制程开发循序推进
南亚科 2025Q4 营业收入达 300.94 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 66.39 亿元人民币），环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。
TrendForce：2025 年 Q3 DRAM 产业营收环比增 30.9%，达 414 亿美元
这其中，SK 海力士受惠于产品售价、出货大幅成长维持排名第一，营收环比增长 12.4%，达 137.3 亿美元（现汇率约合 973.63 亿元人民币），但在激烈竞争下，市占率下降至 33.2%；三星的营收增加值 135 亿美元（现汇率约合 957.32 亿元人民币），环比增长达 30.4%，营收市占为 32.6%，位列第二。