关于4HBM的热搜内容
三星半导体负责人全永铉：HBM4 内存获客户“三星回来了”赞誉
1 月 2 日消息，三星电子联席 CEO、设备解决方案部负责人全永铉在今日发布的 2026 新年致辞中提到，三星的 HBM4 内存产品展现了独特的差异化竞争力，从客户处获得“三星回来了”的赞誉。
阿里平头哥 PPU 新品曝光：配备 96GB HBM2e 显存，带宽达 700GB/s
从新闻联播中可以看到，中国联通在路边公示牌中标出了多个“国产算力”项目，已签约项目包括阿里万卡、中国科学院、北京京仪、中昊芯英等。
消息称三星电子 2026 年将把 HBM 内存产能提升近五成，至每月约 25 万片晶圆
报道指出，三星的投资重心将放在最新的 HBM4 上，HBM 扩产的手段为转换现有 DRAM 产能和在平泽 P4 晶圆厂集群新建产线。
涉及“专网通信案”被罚，这只ST股复牌暴跌20% HBM市场热潮不减
HBM技术作为存储领域的关键技术，正成为众多存储厂商争夺的战略要地。ST瑞科在经历一个交易日的停牌后于5月21日复牌，不幸遭遇开盘即跌停的困境，午间收盘时跌幅达到了20%，跌停板封单量大。此番波动前夜，公司收到了证监会的《行政处罚决定书》，揭露了自2019年起公司参与的专网通信业务实为无实质的虚假循环，导致公司被施以其他风险警示，股票简称变更为“ST瑞科”。
消息称三星下一代 1c DRAM HBM4 良率提升至 50%，加速部署光刻机抢占市场
据消息人士 Jukanlosreve 昨天在 X 平台的发文，三星已加速押注 DRAM 领域，从 ASML（IT之家注：阿斯麦）购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。
打破纪录：SK 海力士 2026 年 HBM、DRAM、NAND 产能已全部售罄
SK 海力士财务担当副社长金祐贤表示：“鉴于客户需求强劲，我们明年不仅 HBM，包括 DRAM、NAND 产能均已售罄。甚至有客户提前购买了 2026 年的传统存储芯片。”
消息称 SK 海力士 2026 年全力扩充非 HBM 通用 DRAM 内存产能，充分利用现有资源
12 月 1 日消息，韩媒《朝鲜日报》11 月 28 日报道称，SK 海力士明年除积极扩产 HBM 内存外也将全力扩充 HBM 以外的通用 DRAM 内存的产能，为此计划充分利用手头的晶圆厂空间。
因应 HBM 等 AI 内存需求，SK 海力士宣布投资 19 万亿韩元建设清州先进封装工厂 P&T7
1 月 13 日消息，SK 海力士当地时间今日宣布该企业将在其忠清北道清州市生产基地投资 19 万亿韩元（现汇率约合 909.91 亿元人民币），建设面向 HBM 等 AI 内存的需求的先进封装后端晶圆厂 P&T7（IT之家注：P&T 即封装与测试）。