资料显示，美光科技HBM3E内存基于1β 工艺，采用TSV封装、2.5D/3D堆叠，可提供1.2 TB/s及更高的性能。美光科技表示，与竞争对手的产品相比，其HBM3E产品有着以下三方面的优势：(1)卓越性能：美光HBM3E拥有超过9.2Gb/s的针脚速率、超过1.2 TB/s的内存带宽，可满足人工智能加速器、超级计算机和数据中心的苛刻需求。(2)出色能效：与竞品相比，美光HBM3E功耗降低了约 30%，在提供最大吞吐量的前提下将功耗降至最低，有效改善数据中心运营支出指标。(3)无缝扩展: 美光HBM3E目前可提供24GB容量，可帮助数据中心轻松扩展其AI应用，无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务都能提供必要的内存带宽。
11 月 5 日消息，据 BusinessKorea 报道，SK 海力士将供应给全球最大的人工智能（AI）半导体公司英伟达（Nvidia）的第六代高带宽存储器（HBM4）价格较上一代产品（HBM3E）上调逾 50%，进一步巩固了其在全球 HBM 市场的领先地位。该公司已与英伟达就明年 HBM4 的供应达成协议，为实现创纪录业绩铺平道路。
12 月 24 日消息，据《朝鲜日报》今日报道，三星电子、SK 海力士等存储供应商已上调明年 HBM3E 价格，涨幅接近 20%。
而在韩国当地时间今日，SK 海力士宣布与全球连锁便利店企业 7-Eleven (7-11) 合作，发布了一款名为 "HBM Chips" 的主题膨化零食。
12 月 27 日消息，据韩媒 SEdaily 昨天报道，随着全球科技巨头在 AI 领域竞争逐渐升温，核心零部件 HBM 价格正在大幅飙升。
11 月 9 日消息，据 UDN 报道，11 月 8 日，英伟达公司首席执行官黄仁勋出席了台积电运动会，并在会后接受采访。黄仁勋表示，英伟达近期业务发展势头强劲，呈现逐月增长的良好态势。他对台积电的表现给予高度评价，称其“表现非常优秀”。
12 月 15 日消息，据韩国 Chosunbiz 今日报道，三星电子在高带宽存储器 HBM 领域迎来关键进展。此前近 2 年在性能和良率方面始终难以稳定的 HBM3E 12 层堆叠产品，现已经实现量产级别的稳定表现，并有望显著扩大供货规模。
行业人士透露：“两家公司正在为 HBM4 展览筹备专用展区”，“VIP 参观结束后，普通观众也将有机会亲眼目睹 HBM4 实物”。
12 月 24 日消息，据韩媒 Pulse 报道，业内消息人士透露，三星电子的下一代高带宽内存 HBM4 在为英伟达将于明年推出的新一代人工智能加速器所做的测试中获得了最高评分。
12 月 1 日消息，韩媒 hankyung 今早报道称，尽管 SK 海力士今年上半年向谷歌的 TPU AI 芯片供应了更多的 HBM 内存，但三星电子凭借着下半年的良好表现，全年对谷歌 TPU 的 HBM 供应占比将达到 60%。
