华为明年Q1推出950PR芯片 自研HBM技术加持
9月18日，华为轮值董事长徐直军在华为全联接大会上首次公布了昇腾芯片的演进和目标。他提到，未来三年内，华为计划推出多款昇腾芯片，包括950PR、950DT以及昇腾960和970。预计950PR将在2026年第一季度对外发布，这款芯片将采用华为自研的HBM技术。
关于4HBM的热搜内容
美光千亿HBM预测改写半导体格局 AI驱动需求激增
尽管下游需求旺盛，美光在资本支出方面仍保持谨慎态度，将2026财年的资本支出计划从180亿美元上调至约200亿美元。公司董事长、总裁兼首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉表示，人工智能驱动的需求已经到来并且正在加速增长，美光正处于历史上最令人振奋的时期。
消息称三星明年 2 月正式发布 HBM4，与 SK 海力士同台竞技
据报道，三星这次计划展示的 HBM4 容量为 36GB、带宽 3.3TB/s，相比上个月展出的 36GB、2.4TB/s 的 HBM4 在带宽上得到进一步提升，三星还通过堆叠结构与重新设计接口提升了速度和能效。
SK海力士利润和销售创历史新高 HBM需求激增驱动
根据监管文件显示，第二季度SK海力士的营业利润达到9.21万亿韩元，同比增长68.5%；营收为22.23万亿韩元，同比增长35.4%。净利润方面也表现出色，达到了6.99万亿韩元（约合51亿美元），同比增长69.8%。与上一季度相比，第二季度营收环比增长26%，营业利润增长24%。
消息称三星晶圆代工 HBM4 内存基础裸片报价上调 40~50%
三星晶圆代工之所以在与兄弟部门的价格谈判中掌握优势，是因为三星存储器业务收获了大规模的 HBM4 内存订单和意向，现在是存储器业务有求于晶圆代工业务。而在此前达成内部合作的时候，晶圆代工业务是更弱势的一方。
消息称英伟达要求SK海力士增加供货 HBM3E需求增长
英伟达近期向SK海力士提出了增加8层HBM3E产品的供货请求。原因是英伟达计划将H20中使用的HBM产品从HBM3更改为HBM3E，并决定在今年上半年量产的H20中配备8层HBM3E产品。公司内部将这一新型号称为H20E。据称，SK海力士最早将于本月开始为这一请求供货。
集邦：预估 2025Q4 非 HBM 一般型 DRAM 内存价格环比增长 8~13%
9 月 24 日消息，机构 TrendForce 集邦咨询今日表示，在三大 DRAM 内存原厂的产能分配向 HBM 和服务器 DDR5 倾斜的背景下，2025 年第四季度整体一般型 DRAM 的价格将环比增长 8~13%。
三星未通过英伟达第3次HBM3E认证 9月再战认证
三星电子在6月进行的第三次英伟达12层HBM3E产品认证未能通过，计划于9月重新进行认证。与此同时，美光已将其HBM3E的良率提升至70%以上。
三星电子飙6.1% 花旗预计其将成为英伟达的关键HBM3供应商
Peter Lee等分析师在报告中表示，三星料将从第四季度开始向英伟达供应HBM3。
消息称三星调整存储业务战略：聚焦 DRAM 盈利，暂缓 HBM 扩张
11 月 19 日消息，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略：在 DRAM 价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型 DRAM 产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型 DRAM 的生产，以提高盈利能力。
SK海力士CEO：今年HBM产能已销售一空 市场需求激增
SK海力士CEO郭鲁正在3月27日的股东大会上表示，公司2025年的HBM产能已全部售罄，并计划在上半年与客户完成关于2026年HBM产能的谈判。他预计今年HBM市场将比2023年增长9倍，企业固态硬盘（eSSD）市场将增长3.5倍。据预测，HBM产品在SK海力士存储芯片总销售额中的占比将从2024年的40%上升到今年的50%以上。
美芯片巨头将加码在中国台湾投资 瞄准HBM制造与研发扩张
台湾经济部门负责人郭智辉在一次采访中证实了美光即将在台湾增投的消息，强调这将涉及HBM的生产。他指出，鉴于台湾作为美光的关键生产基地，加强此处的投资有助于美光更好地服务其重要客户台积电。
消息称美光广岛工厂扩建明年中启动，提升 HBM 内存交付能力
日本经济产业省今年 9 月曾宣布向该工厂（IT之家注：现汇率约合 242.99 亿元人民币），美光则承诺将在该基地的产能扩充上投资 1.5 万亿日元（现汇率约合 680.01 亿元人民币）。
