华为赛题专项奖设置:华为企业命题专项奖专门用于奖励选择华为企业命题的赛队，华为企业命题专项奖是初赛奖，由企业专家评出。入围决赛的参赛队伍继续参加大赛决赛奖项评比，与初赛奖项互不冲突。华为专项奖设：特等奖2队，每队奖金2万元，合计4万元。一等奖5队，每队奖金1万元，合计5万元。二等奖12队，每队奖金0.5万元，合计6万元。华为赛题咨询答疑:华为公司王老师，电子邮箱：wangbo24@hisilicon.com华为赛题文档下载:https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.do?fileId=1d9420897ad2485395a0ffe3a64bd2fc华为赛题视频讲解，请查看微信视频号「研究生创芯大赛」或B站号「研究生创芯大赛」赛题一：24~29.5G毫米波PA设计描述及要求（基础）：频率范围：24GHz~30GHz;增益(S21)：带内15-18dBS21Gainripple:<1.5dB(@任意3GHzBW，越小越好);NF：<6dB;输入差分100欧姆，输出单端50欧姆；OP1:>17dBm;OIP3:>20dBm(双音频率间隔50M~800MHz，单音输出功率范围：0~10dBm);PeakPAE:>22%;PAE@6dB_PBO:>11%(相对于OP1回退)；AMAM:<1dB；AMPM:<10°；S11<-10dB,S22<-7dB;电源电压：可根据工艺自己选择合适电压域，变化范围+/-5%；结温范围：−20℃至+85℃建议使用标准CMOS工艺；评审得分点：有完整的电路原理图、版图及前后仿结果。电路稳定性必须保证，要有稳定性仿真结果。OP1、Peak_PAE、PAE@6dB_PBO等性能越好，得分越高。关键版图寄生必须采用电磁仿真抽取，整版电磁仿真是加分项。需要提供PVT仿真结果；有电路可靠性分析和考虑等内容是加分项；需要有设计文档，文档中要体现具体设计思路(如电路指标分析分解、架构选取、关键指标的设计分析、core管类型及尺寸的选取依据、匹配网络的设计考虑、版图寄生的影响等)。版图布局合理，面积紧凑；查询业界典型产品或paper的指标，分析差距存在的原因，和可能的改进方向；输出要求：详细的设计说明文档。电路版图。电路原理图及仿真TB设置说明。赛题二：高精度PhaseShifter芯片设计描述及要求：频率范围：76G~81G移相步进:5.6度（更小步进更好）移相RMSError:2.8度（RMSError越小越好）移相MaxError(INL)<5.6度（指相邻状态之间的相位差，值越小越好）移相增益变化<0.5dB（指360度变化条件下的增益波动，波动越小越好）增益：>0dB噪声系数：<10dB线性度：IP1dB>-1dBm功耗:<50mW（功耗越低越好）电源电压：可根据工艺自己选择合适电压域，变化范围+/-5%；结温范围：−20℃至+85℃建议使用标准CMOS工艺；评审得分点：思路正确，没有大的Bug；可以采用有源PS，也可以采用无源PS+AMP组合；RMSError、MaxError、噪声等关键性能指标越高，得分越高；需要有文档，说明各个子电路性能指标的分解依据，子电路结构的选择依据等；查询业界典型产品或paper的指标，分析差距存在的原因，和可能的改进方向；面积、功耗有合理分析；提供PVTF（工艺、电压、温度、频率）Corner仿真结果；各个子模块的功耗、移相Error和噪声贡献（用饼状图给出占比分析）；如果需要校准，提供校准方法及校准开销分析（推荐单点（55度、78.5GHz）校准，全温、全频率范围用同一套码字）。输出要求：详细的设计说明文档。电路版图。电路原理图及仿真TB设置说明。赛题三：低功耗高精度ADC设计描述及要求：1.输入信号带宽：>100K2.有效分辨率（ENOB）:>16bit3.功耗:<2mW5.输入信号幅度:1Vpp6.架构：不限7.工艺：建议使用标准CMOS工艺8.温度范围：−20℃至+85℃9.供电电压：随选定工艺而定评审得分点：1.思路正确，根据性能、功耗的要求要有合理的架构选型分析；2.在满足指标要求的情况下FOM越高，得分越高。FOM超过185dB可获得额外加分；3.需要有文档，说明各个子电路性能指标的分解依据，子电路结构的选择依据等；4.各个子模块的功耗、噪声和非线性等用饼状图给出占比分析；5.校准算法选择及有效性分析是加分项；6.查询业界典型产品和paper的指标，分析差距存在的原因，和可能的改进方向；输出要求：1.系统模型或电路模型；2.详细分析设计文档；3.电路原理图仿真验证数据；赛题四：LDPC编解码模块设计描述及要求：基于题目中提供的编解码矩阵码字设计LDPC编解码模块LDPC_ENC/LDPC_DEC；通过编码IP完成编码后，参赛者使用标准BPSK调制、加噪、解调生成5bitLLR译码数据，通过解码IP进行解码；分析信噪比SNR与误帧率PER之间的关系，以1000帧随机码字为标准，PER从10%下降到0%时，SNR上升不超过3dB；设计、优化定点算法，使用verilog实现该LDPC_ENC/LDPC_DEC模块；在100MHz时钟主频下，吞吐率不低于200Mbps；相同SNR性能下，追求面积功耗优化；点击图标下载文件：LDPC编解码模块设计.rar评审得分点：实现算法功能正确，满足题目要求；设计方案文档描述清晰，模块功能划分合理；算法文档明确说明模块内部量化定标，及对应得性能分析；编码IP分数占30%，解码IP分数占70%；PER10%与0%时的SNR越低，得分越高；文档包含对模块面积和功耗优化的措施说明，优化措施越有效，模块面积越小，功耗越低，得分越高；上述SNR/PPA指标均以所有参赛团队在各个专项的归一化分数统计，以各专项第一名的指标为10分，最后一名的指标为1分，其他名次指标在中间做线性量化分数。要求有完备的验证方案和验证用例；输出要求：算法设计与优化分析报告；（含方案分析与性能仿真结果）LDPC_ENC/LDPC_DEC详细设计文档和RTL代码；LDPC_ENC/LDPC_DEC验证环境、验证用例、验证数据和波形截图；提供IP的功耗、性能、面积评估数据，使用工艺库评估的需标明工艺库；使用FPGA工具评估的，需写明工具版本、device型号、资源占用、时序信息等。赛题五：基于非线性PA(poweramplifier)的预失真补偿模块设计描述及要求：根据给定的PA失真模型，设计一套预失真校准与补偿模块，模块名DPD_CALI与DPD_COMP；挂载赛题中提供的“PA失真参数模型paDistProc”，使用“训练数据源trainData.dat”循环发数进行DPD补偿系数训练；训练完成后，使用赛题中提供的3档输入增益paInputGain对3组“测试数据源verifyData1/2/3.dat”进行补偿结果验证；针对3档输入增益，给出训练完成的DPD+“PA失真参数模型”在不同输出功率的EVM曲线（EVM的计算方式参见附件说明）、及对应的MASK裕量曲线（MASK计算方式参见附件说明）；在赛题中给定的采样率和输入、输出数据信号定标下，完成算法方案设计和RTL模块实现；RTL设计需要综合考虑性能和PPA指标；点击图标下载文件：PA_model.rar评审得分点：功能正确，符合题目要求；算法分析报告要求全面，综合考虑各功率档位性能；中低功率段，重点优化EVM；高功率段，重点优化mask裕量RTL详设文档重点描述定点化策略、模块划分方法和功耗面积优化手段；同等性能水平下，模块实现面积、功耗越小，分数越高；输出要求：算法分析报告（包含方案选择分析、性能结果数据）算法定点化实现文档，仿真代码和仿真结果数据；DPD模块详细设计文档和RTL代码，详设文档需说明针对功耗、面积所采取的优化措施和取得的结果；DPD模块验证环境、验证用例、验证报告；提供IP的功耗、性能、面积评估数据，使用工艺库评估的需标明工艺库；使用FPGA工具评估的，需写明工具版本、device型号、资源占用、时序信息等。赛题六：基于行波模型对激光器的瞬态响应进行数值建模设计描述及要求：评审得分点：方案设计描述清晰，包含详细的数值模型推导过程、求解方程的核心算法说明和框架设计；理论分析越全面；算法速度快，收敛性好；同样精度下计算量越小，得分越高；考虑纵向空间烧孔效应；两种方法的比较全面。输出要求：详细的设计文档和代码；给出算法的收敛阶数和精度，并予以证明；列出所有的假设，以及模型中使用参数的有效范围；输出测试用例、验证数据和测试分析报告；给出两种算法的计算量和计算时间等，多维度分析比较。赛题七：300GB+高带宽InP调制器设计描述及要求（基础）：设计一个满足性能要求的300GB+高带宽InP基MZ调制器；6-dBEO带宽>150GHz；半波电压(Vπ)<3V；给出InP基MZ调制器的外延材料、波导结构和RF电极的设计方案和仿真结果；完成InP调制器的制作工艺流程方案和工艺容差分析；描述及要求（加分）：6dBEO带宽>180GHz，越大越好；半波电压(Vπ)<2.5V，越小越好；调制器插入损耗<10dB,越小越好；调制器总功耗越低越好；制作简单，工艺步骤越少越好，工艺容差越大越好；评审得分点：InP基MZ调制器设计方案具有可行性，能满足300GB+波特率的性能要求；6dBEO带宽指标越大，得分越高；半波电压(Vpi)越小，得分越高；调制光学损耗越小越好；制作工艺简单可靠，工艺步骤越少，得分越高；工艺容差越大，得分越高；输出要求：300GB+高带宽InP基MZ调制器系统设计思路。InP基MZ调制器系统制作工艺流程方案和工艺容差分析报告。仿真结果报告(EOresponse)，需提供仿真中采用的材料参数表。总结：方案创新点、优势、不足，改进建议等。赛题八：片上全集成Tsensor设计背景介绍：Tsensor（温度传感器）可集成在芯片内部，用于实现高精度Die内节温检测，在DIE上合理分布放置Tsensor可以得到DIE上的热力云图。Tsensor不断输出带有温度信息的二进制码值给SOC，芯片系统利用码值进行OTP（过热保护）/DVFS（动态电压频率调整）等控制。题目描述及要求：设计一个片上全集成Tsensor，输入信号仅提供电源（VDD），输出信号为可表征温度信息的数字信号（TEMP
