美东时间周三盘后，美国存储芯片大厂美光公司发布了最新季度财报。截至2月末的2026财年第二财季，公司营收几乎增长了两倍，超出分析师预期，下一季度业绩指引也远超市场预期。
尽管如此，在盘后交易中，公司股价有所下跌。过去一年中，该公司股价已经累计上涨超过350%。具体来看，每股收益调整后为12.20美元，高于预期的9.31美元；营收达到238.6亿美元，较去年同期的80.5亿美元接近翻三倍，超出预期的200.7亿美元。基于美国通用会计准则的毛利率在过去一年中从36.8%上升至74.4%，较上一季度的56%有所增加。
在AI热潮下，市场对存储芯片需求激增，推动了美光科技业绩的增长。美光首席执行官桑杰·梅赫罗塔表示，业绩和展望的提升来源于人工智能驱动的内存需求增加、结构性供应限制以及公司在各方面的出色执行。对于本财季，公司预计营收约为335亿美元，较一年前的93亿美元大幅飙升，远超分析师预期的243亿美元；预计调整后的每股盈利约为19.15美元，远超分析师预期的12.05美元。
然而，市场预期过高可能成为主要风险。加贝利基金的投资组合经理亨迪·苏桑托指出，投资者的过高预期是最大的风险，但公司对第三财季的业绩指引表现强劲，远超分析师和个人预期。当前全球人工智能和传统服务器面临DRAM和NAND供应不足的问题，部分原因是许多存储芯片公司将大部分生产产能转移至利润更高的HBM芯片。
美光正大举增加产能。梅赫罗塔在财报电话会议上透露，英伟达的Vera Rubin显卡的HBM4量产工作已在本财政年度第一季度开始，下一代HBM4e产品将于2027年开始量产。此外，2027财年公司的资本支出将显著增加，与建筑相关的成本将增加超过100亿美元。美光正在美国爱达荷州和纽约建设两个大型新制造工厂园区，以增加其在美国的内存制造能力。爱达荷州工厂的初始生产预计将于2027年中期完成。美光公司在今年1月已在纽约破土动工，准备建设一个规模达1000亿美元的大型园区，并预计在2028年下半年实现晶圆生产。
