中国研发成功离子注入机 打破美日技术垄断。2026年1月17日，中核集团宣布中国原子能科学研究院自主研发的我国首台串列型高能氢离子注入机（型号POWER-750H）成功出束。该设备的核心性能指标达到国际先进水平，标志着我国在半导体核心装备领域实现了关键跨越。
高能氢离子注入机作为芯片制造的重要装备之一，长期被美日企业垄断，国内功率半导体制造曾完全依赖进口设备。此次POWER-750H的成功研制，意味着我国已全面掌握从核心零部件到整机集成的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造中的关键技术难题。这一突破不仅填补了国产高能离子注入机的技术空白，还为我国高端制造装备自主可控提供了重要支撑，对保障集成电路产业链安全具有里程碑意义。该设备采用了独创的梯度压力控制法与国产磁分析器技术，在束流传输效率、能量稳定性等关键参数上表现优异，设计连续运转寿命可达75000小时以上。
POWER-750H的成功出束不仅是单一设备的技术突破，更是我国半导体设备国产化从“单点突围”向“生态构建”迈进的重要信号。在全球半导体产业格局重构与国内政策持续加码的背景下，这一突破的产业价值与市场影响显著。
技术层面，此次突破打破了美日企业长达30年的技术垄断，使我国成为全球第三个掌握串列型高能氢离子注入机全链路技术的国家。高能机型占整个离子注入机市场的57%份额，此前国内该领域完全依赖进口。POWER-750H的出现改变了这一被动局面。其核心性能达到了国际对标甚至局部超越，离子能量达750keV，束流传输效率提升至92%，较国际同类产品高出7个百分点，能量稳定性控制在±0.3%以内。此外，设备核心零部件国产化率达85%，掌握了正向设计能力，摆脱了过去依赖进口设备工艺窗口的限制，支持工程师自主定义掺杂参数，为国产芯片开辟了全新技术路线。
