11 月 25 日消息，2026 年度 IEEE ISSCC 国际固态电路会议将于明年 2 月 15~19 日在美国加州旧金山举行，集成电路学术和产业界的最新成果将在这次行业盛会上集中展示。
IT之家注意到，存储领域各大原厂将在该活动上展示一系列值得关注的内容：
在 DRAM 内存底层架构方面，三星电子将带来以混合铜键合技术实现单元和外围堆叠的 VCT 垂直单元晶体管 4F2 立体构型设计 (15.10)。
在 LPDDR6 上，三星已宣布在明年初的 CES 上展出 ，而 ISSCC 上则将有 16Gb 12.8Gbps 版本的介绍 (15.8)；而 SK 海力士的 1cnm 工艺 16Gb 14.4Gbps LPDDR6 也将亮相 (15.7)。
SK 海力士的 48Gbps 高速 24Gb 大容量 GDDR7 (15.9)。闪迪-铠侠的六平面 2Tb QLC (15.1)、三星的 36GB 3.3TB/s HBM4 (15.6) 也都将亮相。
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