英特尔:18A工艺已大规模量产,晶体管密度提升30% 能效与密度双重进步!在2025英特尔技术创新与产业生态大会上,英特尔宣布其18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。这一工艺采用了全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,实现了能效与密度的双重进步。与上一代制程工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度提升30%。
英特尔表示,该技术是公司未来三代技术的基石,目前正基于此技术快速推进后续产品的研发。
英特尔:18A工艺已大规模量产,晶体管密度提升30% 能效与密度双重进步!在2025英特尔技术创新与产业生态大会上,英特尔宣布其18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。这一工艺采用了全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,实现了能效与密度的双重进步。与上一代制程工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度提升30%。
英特尔表示,该技术是公司未来三代技术的基石,目前正基于此技术快速推进后续产品的研发。