电调控范德瓦尔斯铁磁-反铁磁异质结器件交换偏置效应获进展
近日,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队研究员郑国林与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授Lan Wang、华南理工大学教授赵宇军等人合作,利用门电控制二维异质结界面的质子插层,实现了范德瓦尔斯铁磁(FM)金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias(交换偏置)效应的电调控,为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果发表在Nano Letters上。
近日,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队研究员郑国林与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授Lan Wang、华南理工大学教授赵宇军等人合作,利用门电控制二维异质结界面的质子插层,实现了范德瓦尔斯铁磁(FM)金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias(交换偏置)效应的电调控,为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果发表在Nano Letters上。
同日,《自然》还发表了复旦大学物理学研究团队的一项重要发现,题为《斯通纳-沃尔法思反铁磁体的铁磁型双稳态翻转》。该研究揭示了低维层间反铁磁体磁化翻转的关键因素与独特效应,推动了反铁磁材料研究从“有趣而无用”到“可读可写”的关键一步。这一进展为开发新一代低功耗、高速运算芯片提供了新的路径。复旦两项科研成果在《自然》上线 太空电子学与反铁磁研究取得突破!